Проведенные учеными расчеты показывают, что проводимость зазора между контактами одноэлектронного транзистора и "островком"- микроскопической площадки, на основе которой построено устройство, не просто меняется вместе с зарядом на "островке", но эти изменения еще и зависят от направления процесса. Проще говоря, если напряжение на затворе увеличивается, то проводимость сначала плавно растет, а потом резко, скачком, падает - но если напряжение уменьшается, то сначала идет плавное увеличение проводимости, а потом - резкий скачок.

Данный эффект может пригодится в разработке новых запоминающих устройств для микроэлектроники.

Подробнее https://goo.gl/2JjgDr