На секции рассматриваются самые современные процессы и направления полупроводниковой индустрии, организация и проведение теоретических и экспериментальных исследований полупроводниковых микро- и наноструктур, а также моделирование, разработка и применение микро- и наноэлектронных схем и технологических процессов их создания.
Предложена модель метаматериала, имеющий относительную диэлектрическую проницаемость равную 350, а также методика оценки его диэлектрической проницаемости.
В ближайшие годы ожидается, что закон Мура о планарном структурировании перестанет выполняться. Поэтому, в настоящее время активно развивается трехмерная интеграция посредством применения технологии адгезивного бондинга, необходимой для решения многих задач. Например, таких, как создание TSV – структур (сквозные канавки в кремнии).
При проектировании изделий микроэлектроники, в основе которых лежит технология Кремний-На-Изоляторе, особенно важным становится контроль качества слоев транзистора, таких как скрытый и подзатвроный диэлектрики, пленка кремния. С большой точностью измерить конструктивные и электрические характеристики слоев прибора позволяет метод вольт-фарадных характеристик.
В данной работе проводится сравнение выборок калибровочных тестовых структур, полученных разными методами: с помощью кластерного анализа, сеточного разбиения и встроенной в САПР функции.
В данной работе была произведена экстракция контуров из SEM-изображений с помощью встроенных библиотек языка Python. В процессе работы были изучены различные методы калибровки резистивных моделей в фотолитографии.
В работе изучена зависимость ширины запрещённой зоны в полупроводниках, найден конкретный вид зависимости для светодиода на базе кристалла AlGaInP. Также в работе предложен способ реализации светодиодного излучателя, работающего на базе изученного явления.
В работе проведена оценка влияния размеров и формы N-кармана на временные характеристики стандартной ячейки. Рассмотрен маршрут исследования, выполнено моделирование и получены зависимости временных характеристик стандартной ячейки от геометрии N-кармана.
В работе рассмотрены особенности топологического поектирования аналоговых ИС в технологии уровня 28 нм с учетом влияния LDE-эффектов.
В работе выполнено моделирование транспорта носителей заряда в изготовленной мемристорной структуре и проведён сравнительный анализ с экспериментально полученными вольт-амперными характеристиками.
Нитрид кремния остается базовым материалом в наноэлектронике, что делает актуальным исследование мемристоров на его основе. Нами проведен обзор выявленных в современных работах механизмов и моделей проводимости, кратко рассмотрены физические принципы, положенные в их основу. Сделан вывод о необходимости разработки синтетической модели, валидной на всех участках петли гистерезиса вольтамперной характеристики, которая должна учитывать особенности нитрида кремния.
В данной работе изучен эффект локального рассогласования в КМОП интегральных схемах, получены ВАХ тестовых структур и обработаны результаты измерений. Определена закономерность распределения относительных разностей пороговых напряжений для парных транзисторов в зависимости от их размеров.
Работа посвящена исследованию влияния конструктивных деталей пластиковых корпусов на входной импеданс высокочастотной СБИС в сравнении с импедансом бескорпусной микросхемы.
Проблемой является предсказание траектории движения экзоскелета, основанное на ЭМГ-сигналах и сигналах с энкодеров. Таким образом возможно учесть физические особенности конкретного пользователя. Применение методов глубокого обучения, а именно рекуррентная нейронная сеть, способно решить данную проблему.
В работе рассмотрена реализация выполнения проекта экзоскелета руки под управлением нейросетевых алгоритмов использующих электромиографический (ЭМГ) сигнал. Был проведен анализ материалов для изготовления электродов, обсуждены варианты выполнения архитектуры нейросети, а так же разработан динамический прототип экзоскелета, позволяющий снимать необходимые сигналы.
В работе исследовали влияние модификации подложки на качество струйной печати функционального слоя на основе PEDOT:PSS и проводимость напечатанных структур.
В данной работе представлена разработка компактного модельного решения для эффектов близости (LDE) в КМОП технологиях с нормами проектирования 30нм и менее.
В работе рассматриваются основные свойства материалов с изменяемой фазой семейств оксидов переходных металлов и халькогенидных соединений, в частности, структуры различных фаз на примере оксида ванадия(IV) и теллурида германия. Описываются наиболее важные характеристики для разработки устройств нанофотоники на основе материалов с изменяемой фазой, а также приводится ряд примеров конкретного применения данных материалов в устройствах нанофотоники.
В работе представлены результаты квантово-химических расчётов остаточной поляризации и диэлектрической проницаемости различных кристаллографических модификаций диоксида гафния.
В работе проведен сравнительный анализ и моделирование интегральных оптических демультиплексоров, построенных на различных физических и архитектурных принципах. Результаты работы позволяют оптимизировать выбор реализации демультиплексора для прикладных задач.
В данной работе рассмотрены основные способы применения карбида кремния и возможности дальнейшего его использования.
В данной работе приведен краткий обзор основных видов памяти, в частности, RRAM. Описаны основные преимущества и применения данного вида памяти. Подробно рассмотрен механизм резистивного переключения, а также обозначены ключевые перспективы и задачи для дальнейшего усовершенствования RRAM-памяти.
В приведенной работе проводится моделирование механических свойств кремниевой fin-структуры нанометрового размера с учетом шероховатостей, возникающих на боковых гранях «плавника». Исследуемая структура применяется в различных областях микроэлектроники, в том числе, при изготовлении Fin FET.
В данной работе было проведено моделирование, изготовление и измерение радиочастотных характеристик тестовых копланарных линий передачи на основе Al2O3(поликор) с целью определения диэлектрической проницаемости материала (ε). Исследование изготовленных образцов проводилось с использованием зондовой станции, СВЧ – зондов и векторного анализатора цепей Agilent E8361 (ВАЦ). Измерения параметров рассеяния проводились при мощности падающей волны 0.05 мВт.
В данной работе рассмотрен проект по созданию усиливавющего экзоскета руки, который будет управляться обученной нейросетью. Был проведён анализ возможных управляющих систем. Подбор процессора и нейроускорителей ограничевается скоростью работы. Необходимо добится работы в реальном времени с минимальной задержкой.
В данной работе приведен краткий обзор устройства и особенностей работы некоторых типов современных фазовращателей, основанных на различных физических принципах.
В работе рассматривается ультразвуковой детектор на основе микрокольцевого резонатора (MRR) для фотоакустической микроскопии (PAM). Среди большого разнообразия оптических методов обнаружения ультразвука именно микрокольцевый резонатор (MRR) считается наиболее перспективным решением. В работе приведена теоретическая справка работы MRR и описаны приемущества детектора MRR для анализа свойств оптического поглощения.
Разработка методик прогнозирования процесса
деградации электрических параметров ИС. Выбор наиболее предпочтительного метода.
В данной работе исследуется поведенческий модуль цифрового двойника интегральной микросхемы при помощи нейросетевого моделирования
В данной работе рассмотрены наиболее эффективные модели пересечений интегральных волноводов, описанных в литературе. Моделирование производилось для диапазона длин волн от 1.30 до 1.65 мкм с шагом в 50 нанометров. Полученные результаты позволили выделить рабочую длину волны для каждого из пересечений, основываясь на минимальных потерях энергии излучения при прохождении через пересечение.
В работе проводится моделирование самосборки блок-сополимеров. Рассматривается зависимость конечного результата самосборки от формы и размеров направляющей структуры, ее соразмерностью с длиной молекул блок-сополимера, а также от нейтральных/преференциальных свойств дна и стенок направляющей структуры.
В данной работе описан алгоритм поиска измерительных структур в рабочем кристале фотошаблона, и разработка инструмента для его реализации.
Составление датасета из экспериментально полученных вольтамперных характеристик исследуемой мемристивной структуры является важным этапом в исследовании её свойств. Во многих случаях объем экспериментального набора данных оказывается недостаточным. Решением этой проблемы может являться генерация реалистичной серии переключений мемристора на основе уже имеющегося набора экспериментальных данных. В работе проводится обзор различных подходов к генерации новых данных, похожих на имеющиеся.
