В рамках работы были проведены исследования влияния различных замен лигандов на морфологию поверхности тонких пленок коллоидных квантовых точек халькогенидов ртути. На основе коллоидных квантовых точек были созданы фоторезисторы и определены их фотоэлектрические характеристики.

В работе рассмотрен перспективный метод пассивации гетерограницы NiOx/перовскит в перовскитных солнечных элементах полимерным дырочно-транспортным материалом. Рассмотрено влияние пассивирующей прослойки на приборные характеристики и фотостабильность устройств.

В работе реализована одномерная модель квантовой эффективности бариода на основе InAsSb. Рассчитана спектральная характеристика чувствительности nBn-фотодетектора на основе InAsSb. Проведены исследования влияния толщины поглощающего слоя и толщины подложки на чувствительность nBn-фотодетектора.

В рамках работы разработана аналитическая модель спектральных характеристик гетероэпитаксиальных структур на основе InGaAs, выращенных методом МЛЭ на подложке GaAs. Доказана корректность модели посредством сравнительного анализа результатов исследований структур методами фотолюминесцентной спектроскопии при комнатной температуре и растровой электронной микроскопии. В ходе исследований определены такие параметры структур как толщина и состав слоев.

В данной работе рассмотрена кинетика замены лигандов в тонких слоях коллоидных квантовых точек HgSe, а также опробован новый способ замены лигандов в растворе, позволяющий значительно упростить процесс создания тонких плёнок.

Предложена методика получения седиментационно устойчивых дисперсий 2D-наночастиц Bi₂Te₃ в растворителях. Изготовлены фоточувствительные элементы на основе теллурида висмута, восстановленного оксида графена и их комбинации, демонстрирующие фотоотклик в областях спектра 1-3 и 3-5 мкм при комнатной температуре. Исследованы вольт-амперные характеристики изготовленных фоточувствительных структур. Проведено измерение толщин нанесенных покрытий, размеров одиночных частиц и их скоплений.