На секцию принимаются экспериментальные и теоретические работы, посвящённые исследованию физики сверхпроводимости и высокотемпературной сверхпроводимости, созданию и исследованию новых квантовых материалов, изготовлению наноструктур и низкоразмерных систем.
Формат проведения: очно-дистанционный
Рабочий язык: русский, возможно представление докладов на английском языке
Дата и место проведения: 06 апреля 2023г. в 10:00 часов, ФИАН, корпус 10, конференц-зал (Ленинский пр-т., 53, Москва)
Графен синтезирован методом ХОГФ, перенесён на атомарно гладкие и текстурированные поверхности Si / Сu. Выявлено его доминирующее воздействие на смачиваемость системы. Показана возможность консервации свойств материалов под графеновым слоем.
С помощью метода электрохимической интеркаляции топологического изолятора Bi2Se3 был получен образец CuxBi2Se3. Были изучены состав и структура образцов. В работе рассматриваются результаты измерений ARPES и транпортных свойств.
Ниже Тс в ScS-контактах Ba(Fe,Ni)2As2 наблюдался эффект многократных андреевских отражений. Помимо этого, ВАХ и dI(V)/dV демонстрировали отдельную от андреевской сильную нелинейность (структура минимум-максимум) как в СП, так и в нормальном состоянии, вероятно связанную с особенностями плотности электронных состояний.
При помощи спектроскопии многократных андреевских отражений в сверхпроводящих образцах $$(K,Na)F{e}_{2}S{e}_{2}$$ были разрешены особенности связанные с щелевым параметром, а также минимумы-сателлиты, предположительно, вызванные наличием спин-флуктуационной бозонной моды.
В данной работе реализован вариант методики с лазерным импульсом накачки и электрическим зондированием. Накачка осуществляется при помощи пикосекундной лазерной системы. Зондирование производится коротким импульсом прямоугольной формы. Образец располагается в оптическом криостате в атмосфере гелия. Отработанная методика позволяет изучать релаксацию сопротивления образцов на масштабах от наносекунд до микросекунд. Метод был опробован для исследования релаксации скрытого состояния в 1T-TaS2.
Рассматривается многотерминальный джозефсоновский контакт с произвольным числом терминалов M с примесью в центре. Показано, что в некоторых приближениях спектры связанных состояний таких структур обладают универсальностью: они не зависят от фаз отражения от примеси.
Также обнаружено, что при нечётном M и равных длинах терминалов появляется выделенный поднабор состояний, не зависящих от матрицы рассеяния примеси и разностей фаз сверхпроводников.
При помощи транспортных измерений изучены сверхпроводящие свойства монокристаллов класса 111 железосодержащих сверхпроводников. Построена температурная зависимость и оценена анизотропия верхнего критического поля.
Исследование субгармонической структуры сверхпроводящего селенида (K,Na)Fe2Se2 методом многократной андреевской спектроскопии. Вычисление сверхпроводящего параметра порядка, анализ температурных зависимостей особенностей, связанных с андреевским транспортом - избыточного тока и проводимости при нулевом смещении.
