Учёные из Центра коллективного пользования МФТИ научились управлять концентрацией кислорода в плёнках оксида тантала, получаемых методом атомно-слоевого осаждения.

Такие покрытия могут стать основой для создания перспективного типа памяти, способной объединить быстроту оперативной памяти и энергонезависимость флеш-памяти.

Подробнее: vk.cc/6Hmm7S